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电子元件

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

  2020年05月12日  

  富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1。7V至1。95V,配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品,将在6月实现量产。

  这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择,满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,如ADAS。

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

图2:应用实例(ADAS)

  FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。

  自2017年以来,富士通电子不断推出工作电压3。3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出,使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1。8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。

  MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用,比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据,则写入次数将超过30亿。另外,这款产品可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准,达到汽车级产品的认证标准。因此,在数据写入耐久性和可靠性方面,富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。

  这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。


图3:8pin DFN和8pin SOP封装

  除2Mbit FRAM,富士通电子目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

关键规格

  o组件型号:MB85RS2MLY
  o容量(组态):2Mbit(256Kx8位)
  o接口:SPI(SerialPeripheralInterface)
  o运作频率:最高50MHz
  o运作电压:1.7伏特-1.95伏特
  o运作温度范围:摄氏零下40度-摄氏125度
  o读∕写耐用度:10兆次(1013次)
  o封装规格:8-pinSOP与8-pinDFN
  o认证标准:符合AEC-Q100Grade1

词汇与备注

  注一:铁电随机存取内存(FRAM)
  FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。

标签:富士通电子我要反馈
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