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电子元件

科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能

  2020年09月01日  

  Cree, Inc。 (Nasdaq: CREE) 宣布,科锐正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求,以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信和工业市场的不断增长,Cree于2019年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。

  科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。

  科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示:"科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。"

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